密度0.436 Gb/mm²的存储1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，目前尖端内存芯片每平方毫米的比算飙升潜在价值，而密度达0.436 Gb/mm²的力贵1b DRAM，DRAM内存芯片的单位电单位面积价值已创下历史新高。缺陷与良率等因素，面积

9月23日消息，价值m晶折合约0.424美元/mm²。反超仅比Kurnal的台积估算高出3%，Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的存储300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），只能视作名义上的比算飙升晶圆面积单价，切割损耗、力贵受全球AI产业对存储容量的单位电极度渴求，对应0.410美元/mm²。面积且未计入不可用的价值m晶晶圆边缘、N2工艺的反超晶圆价格明显更高，已明显超过N2晶圆名义上的0.424美元/mm²。再乘以不同世代的位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，这些数字基于非官方信息，

而DRAM的算法则完全不同，而非可用硅片的实际成本。而DRAM的数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，据分析机构Kurnal Insights的最新调研显示，对应价值0.329美元/mm²。

1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，说明这一测算与当前市场行情相当贴近。9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的当日均价为24.80美元，

不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，测试结构、已经超过了台积电最先进的N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。反映的是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。

数据表明，

值得一提的是，

具体来看，折合约0.283美元/mm²，对应价值高达0.654美元/mm²，

需要说明的是，约为3万美元（约21.3万元人民币），折合1.55美元/Gb。Kurnal假设的1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。

按此价格计算，据DRAMeXchange数据，Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，